Descripción
Arcipes de tensión de semiconductores: descripción general y aplicaciones
Los medidores de tensión de semiconductores aprovechan las propiedades piezoresistivas de materiales comosilicioogermaniopara medir la tensión. A diferencia de los medidores de lámina metálicos tradicionales, ofrecen una sensibilidad significativamente mayor, pero vienen con compensaciones en linealidad y estabilidad de la temperatura.
Comparación con los medidores de aluminio metálico
| Característica | Indicadores de semiconductores | Guígues de aluminio metálico |
|---|---|---|
| Sensibilidad | Muy alto | Moderado |
| Estabilidad de la temperatura | Pobre (requiere compensación) | Bien |
| Linealidad | Moderado (no lineal a alta tensión) | Excelente |
| Durabilidad | Frágil | Robusto |
| Costo | Alto | Bajo |
Características
- Alta sensibilidad: Ideal para detectar pequeñas deformaciones (por ejemplo, en dispositivos MEMS o sensores biomédicos).
- Miniaturización: Se puede fabricar a microescala para la integración en sistemas compactos (por ejemplo, sensores de presión en los teléfonos inteligentes).
- Respuesta rápida: Adecuado para mediciones dinámicas de alta frecuencia.
- Bajo consumo de energía: Útil en dispositivos operados por baterías.
Datos técnicos
Características del medidor de tensión de semiconductores
|
Número de modelo |
SYP -15 |
SYP -30 |
SYP -60 |
SYP -120 |
SYP -350 |
SYP -600 |
SYP -1000 |
|
Resistencia del medidor (ω) |
15±5% |
30±5% |
60±5% |
120±5% |
350±5% |
600±5% |
1000±5% |
|
Código |
B,C |
B,C |
B,C |
A,B,C |
B,C |
C |
C,D |
|
construcción |
0,F2,F3,F4,F5 |
0,F2,F3,F4,F5 |
0,F2,F3,F4,F5 |
0,F2,F3,F4,F5 |
0,F2,F3,F4,F5 |
0,F2,F3,F4,F5 |
C:0,F2,F3,F4,F5 |
|
K |
100 |
100 |
120 |
A:150 |
150 |
200 |
C:200 |
|
TCR (%\/ grado) |
0.10 |
0.10 |
0.15 |
0.13 |
0.30 |
0.45 |
C:0.40 |
|
TCGF (%\/ grado) |
-0.12 |
-0.12 |
-0.18 |
A:-0.35 |
-0.35 |
-0.48 |
C:-0.48 |
|
Corriente operativa máxima (MA) |
50 |
50 |
50 |
A:20 |
30 |
20 |
20 |
|
Límites de deformación (Mε) |
5000 |
5000 |
5000 |
5000 |
5000 |
5000 |
5000 |
Dimensión
|
Medidor de deformación semiconductora (sin sustrato) |
|||
|
Código |
configuración |
tamaño (mm) |
Resistencia al calibrador |
|
A |
|
1.27×0.22×(0.020~0.030) |
15Ω,30Ω,60Ω,120Ω |
|
B |
|
3.8×0.22×(0.020~0.030) |
15Ω,30Ω,60Ω,120Ω,350Ω |
|
C |
 |
4.7×0.22×0.02 |
15Ω,30Ω,60Ω,120Ω,350Ω,600Ω,1000Ω |
|
D |
|
6×0.22×0.02 |
1000Ω |
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① La longitud del alambre de cobre del calibrador de deformación de semiconductores (sin sustrato) es más corta que 6 mm; |
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Ejemplo: SYP 1000 C F3
Explicar: P-Si Semiconductor Strain Gage
Resistencia: 1000Ω;
K: 200;
Silicon: 4.7 × 0. 22 × 0. 02;
Tamaño del sustrato: 7 × 4.
Aplicaciones:
- Compensación no lineal del sensor de aluminio
- Maquinaria de barcos de aviación puentes
- Sensor de micro presión
Nota:Si hay otros requisitos o el tamaño del sustrato o la tira de silicio debe especificarse en el contrato
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